●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备,可实现共溅射,直流、射频兼容,特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发,同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。

●主体结构:全封闭框架结构,机柜和主机为一体式机构。

●极限真空度:≤6.63×10-5Pa,压升率优于国家标准。

●真空配置:高速直联旋片泵一台,配置尾气处理装置,超高分子泵一台。

●真空测量:两路电阻规,一路电离规;电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。

●工件架系统:行星工件盘与公转工件盘可选,垂直溅射与共溅射兼容,可配置1个加热台,采用PID控制可烘烤加热到700℃。

●磁控溅射系统:配置3个Φ50mm可折叠磁控靶(可扩展至4靶机构),向上溅射成膜;靶基距可调;靶内均通入冷却水冷却。

●电源:2套直流电源;1套全固态射频电源;一套200W直流偏压电源。

●充气系统:配置三路供气,二路分别配置质量流量控制器,线性±0.5 % F.S,重复精度±0.2% F.S,0-5V输出,在触摸屏上设置流量。

●电气控制系统:采用功能化模块设计,匹配西门子人机界面+西门子控制单元,溅射时间可以设定并倒计时,能够根据工艺需求自动溅射。

●特别说明:根据用户不同的工况和工艺要求,公司愿与客户联合研发,共享知识产权,公司致力于工艺与设备的完美匹配,该设备为公司与电子科技大学联合研发。