单晶硅超纯水设备

从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原有锗材料。硅材料因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用多的一种半导体材料,目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。

现在,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片,因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。

单晶硅也称硅单晶,是电子信息材料中基础性材料,属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域,当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。

多晶硅是由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体。由于各个晶粒的排列方向彼此不同,其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深银灰色,不透明,具有金属光泽,性脆,常温下不活泼。

多晶硅是用金属硅(工业硅)经化学反应、提纯,再还原得到的高纯度材料(也叫还原硅)。目前世界上多晶硅生产的方法主要有改良西门子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2热分解法、SiCl4法等多晶硅生产工艺。

当前全球多晶硅的市场状况是:从国际上来看,早几年多晶硅还处于供过于求的局面,2004年开始,由于太阳能产业的发展,太阳能用多晶硅供不应求,导致全球多晶硅供应紧张。在国内,我国多晶硅生产长期不能满足国内市场需要,严重依赖于进口。

单晶硅和多晶硅生产工艺用超纯水设备的专业生产厂商,单晶硅超纯水设备的具体参数如下:

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原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→一级反渗透机→中间水箱→中间水泵→CEDI系统→微孔过滤器→用水点

设备处力:按客户要求设计

出水指标:≥16-18.2MΩ.CM

产水用途:电子、单晶硅/多晶硅用工业超纯水、纯水、单晶硅多晶硅清洗超纯水、硅片硅材料清洗超纯水