干法刻蚀设备 surpass大口径等离子刻蚀机,主要用于半导体刻蚀,能够兼容离子束刻蚀和反应离子刻蚀功能,使用气态化学刻蚀剂与材料产生反应来进行刻蚀,并形成可从衬底上移除的挥发性副产品,通过真空系统排出,特别适合刻蚀熔融石英、硅、光刻胶、聚酷亚胺( PI) 薄膜、金属等材料。

尺寸:Φ1500mm,Φ2000mm

刻蚀材料:石英、硅、金属、光刻胶等材料

刻蚀均匀性:2%~8%(光刻胶)

刻蚀速率:50nm~500nm/min真空度(极限):5x10-4Pa

气路MFC:标配6种气体,耐腐蚀±0.5%FSI

刻蚀表面粗糙增加值:优于0.2nm

本设备可根据客户技术需求,定制研发生产,具体详情请电联我司。