影响硅碳使用寿命的因素

①使用温度

硅碳棒表面温度越高其寿命也就越短。当硅碳棒在炉膛温度超过1600℃以后,氧化速度加快,所以不要让硅碳棒表面温度过高,必要时刻可以让炉膛温度与硅碳棒温度差缩小。

②炉内气氛

在烧结中,硅碳棒与水、氢、氮、硫、卤素等气体及熔融的铝、碱、盐、熔融金属、金属氧化物接触容易发生腐蚀或氧化现象。

③表面负荷

表面负荷密度=额定功率(W)/ 发热部表面积(cm2)

负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。负荷密度大则棒体表面温度高,电阻增长快,硅碳棒的寿命短。因此,硅碳棒表面温度负荷密度、炉内气氛、温度与硅碳棒老化速度成正比,与SIC棒的寿命成反比。

④窑炉运行方式

硅碳棒在连续式窑炉与间歇式窑炉中,前者的寿命较长。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,长时间使用使二氧化硅皮膜增加,硅碳棒阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点(270℃)附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动,所以反复破二氧化硅薄膜,加速氧化。因此停电炉温降至室温时经常急剧增加电阻。